SK Hynix公佈了最新的DDR5路線圖,並已確認今年將開始限量生產下一代DRAM。早在2018年11月SK Hynix宣布開發了業界首個根據JEDEC標準構建的1Ynm 16Gb DDR5 DRAM,現在它們使我們對下一步有一個大致了解。

據SK Hynix稱與DDR4相比,DDR5旨在提供兩倍以上的頻寬。據稱從DDR3到DDR4一直追溯到2013年,頻寬增加了33%(從1600 Mbps增加到2133 Mbps)。借助DDR5,SK Hynix的目標是使每個DIMM的頻寬增加50%以上。

SK Hynix在其DDR5規格表中提到,我們正在研究的速度從3200MHz一直到DDR5的8400MHz。相比之下按照JEDEC標準,DDR4的速度範圍為1600至3200 MHz,但是我們已經看到各種記憶體製造商將DDR4的後端更新推到5000 MHz。以類似的方式,我們可能不會一開始就看到8400MHz DIMM,一旦DRAM成熟,它們可能最終會被啟動。

如果我們考慮將DDR5的頻寬增加50%,那麼我們將在DDR5的第一個更新中看到更為保守的4800MHz DRAM速度,與我們在DDR4 DIMM上看到的標準速度(通常為2800)相比,該速度仍然較快)。

就密度而言DDR5最高可支援64 Gb DRAM密度,在單個DIMM上最多可支援64GB DDR5。SK Hynix還計劃生產24Gb和32Gb DRAM,這將產生24GB或48GB的容量,具體取決於記憶體供應商是否要採用雙容量路線。目前有幾家記憶體製造商提供雙容量DDR4,而主機板供應商在各自的平台上增加了對此類DIMM的支援這始於Intel Z390平台,此後也被推到某些X299主機板上。

DDR5將導入更高頻寬所需的其他功能包括:容量大小增加一倍(32 banks對16 banks),並且Burst Length也增加了一倍,與DDR4的8個相比,增加為16個。第三,DDR4在刷新時無法執行其他操作,因此在刷新定時無法從系統訪問它。但是DDR5採用了Same Bank Refresh功能,允許系統在某些儲存區執行時訪問其他儲存區,從而提高了記憶體訪問的可用性。

就功率效率而言,DDR5的工作電壓為1.1V,而DDR4的工作電壓為1.2V。因此我們可以看到功耗降低20%。DDR5還將擁有ECC和ECS功能,從而可以進一步降低針對伺服器的平台的成本。

IDC報導稱DDR5預計將在2021年佔整個DRAM市場的22%,到2022年將佔43%。就平台而言AMD的第三代EPYC Genoa和Intel的Sapphire Rapids Xeon伺服器處理器都將支援DDR5。目前尚不清楚何時會在消費者平台上看到新的記憶體標準,但是隨著AMD於2021年推出其Zen 4處理器以及Intel推出其下一代Alder Lake CPU,我們很可能會看到DDR5在2021年末或2022年初在消費者方面採取行動。

消息來源

此文章引用自 XFastest。如你不欲你的文章出現在我們的網站,請聯絡我們