三星高級技術學院(SAIT)的研究人員與蔚山國立科學技術學院(UNIST)和劍橋大學合作,揭開了一種名為非晶態氮化硼(a-BN)的新材料的發現。這項研究發表在《自然》雜誌上,有可能加速下一代半導體的問世。

最近SAIT一直在研究和開發二維(2D)材料–具有單原子層的晶體材料。具體而言該研究所一直致力於石墨烯的研究和開發,並在該領域取得了突破性的研究成果,例如開發新的石墨烯電晶體管以及生產大面積單晶晶片的新方法。除了研究和開發石墨烯外,SAIT還致力於加速材料的商業化。

新發現的材料稱為非晶氮化硼(a-BN),由擁有非晶分子結構的硼和氮原子組成。儘管非晶態氮化硼衍生自白色石墨烯,其中包括以六邊形結構排列的硼和氮原子,但實際上a-BN的分子結構使其與白色石墨烯擁有獨特的區別。

非晶氮化硼擁有1.78的同類最佳的超低介電常數,有強大的電氣和機械性能,可以用作互連隔離材料以最大程度地減少電的干擾。還證明了該材料可以在僅400°C的低溫下以晶圓級生長。因此預計非晶氮化硼將廣泛應用於諸如DRAM和NAND解決方案的半導體,尤其是在用於大型伺服器的下一代儲存器解決方案中。

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